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掺杂浓度为的n型硅样品 【第1页】
热点推荐
掺杂浓度为的n型硅样品
在稳态光照下的产生率
掺杂浓度为nd的n型半导体硅材料中
如果杂质完全离化
掺杂浓度为nd=1016
n型硅中
掺杂浓度nd=10^16
掺杂施主杂质的n型硅
由于光的照射
掺杂浓度nd计算公式
掺杂浓度分别为(a)
n+掺杂
n掺杂tio2
n掺杂mxene